 
|
LNOI POI ile Yüksek Hızlı Modülasyon ve Geniş Bant Genişliği Piezoelektrik Gofret
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | BonTek |
| Sertifika: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Model numarası: | LNOI Gofret |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 25 adet |
|---|---|
| Fiyat: | $2000/pc |
| Ambalaj bilgileri: | Kaset/ Kavanoz paketi, vakumlu |
| Teslim süresi: | 1-4 hafta |
| Ödeme koşulları: | T/T |
| Yetenek temini: | 1000 adet/ay |
|
Detay Bilgi |
|||
| Ürün: | İzolasyonda Piezo | Çap: | 4 inç, 6 inç |
|---|---|---|---|
| Üst tabaka: | Lityum Niobat | üst kalınlık: | 300~600nm |
| Güneşlenme: | SiO2 Termal Oksit | Güneşlenme Kalınlığı: | 2000±15nm; 2000±15 nm; 3000±50nm; 3000±50nm; 4700±100nm 4700±1 |
| yüzey: | silikon | Başvuru: | Optik Dalga Kılavuzları ve Mikrodalga Kılavuzları |
| Vurgulamak: | Yüksek Hızlı Modülasyon Piezoelektrik Gofret,Geniş Bant Genişliği Piezoelektrik Gofret,LNOI POI Piezoelektrik Gofret |
||
Ürün Açıklaması
LNOI POI ile Yüksek Hızlı Modülasyonu ve Geniş Bant Genişliğini Etkinleştirme
Yalıtımda Piezo (POI), piezoelektrik malzemelerin yalıtkan bir alt katmana entegre edildiği bir teknolojiyi ifade eder.Bu, elektriksel izolasyon sağlarken piezoelektrik etkinin kullanılmasına izin verir.POI teknolojisi, algılama, çalıştırma ve enerji toplama uygulamaları için piezoelektrik malzemelerin benzersiz özelliklerinden yararlanan çeşitli cihaz ve sistemlerin geliştirilmesini sağlar.
POI (Piezo on Insulation) teknolojisi, piezoelektrik malzemelerin avantajlarını elektriksel izolasyonla birleştirme kabiliyeti sayesinde farklı alanlarda çeşitli uygulamalar bulmaktadır.Sensörler, Mikroelektromekanik Sistemler ve Enerji Depolama ve Üretimi gibi.
Piezoelektrik malzemeleri yalıtkan bir alt katmana entegre etmenin çok yönlülüğü, elektronik, enerji, sağlık ve daha fazlası dahil olmak üzere çeşitli alanlarda yenilikçi çözümler için olanaklar sunar.
| LNOI Gofret | |||
| Yapı | LN / SiO2/ Si | LTV / PLTV | < 1,5 mikron ( 5∗5 mm2) / %95 |
| Çap | Φ100 ± 0,2 mm | Kenar Hariç Tutma | 5 mm |
| Kalınlık | 500 ± 20 mikron | Yay | 50 mikron içinde |
| Birincil Düz Uzunluk | 47,5 ± 2 mm 57,5 ± 2 mm |
Kenar Kırpma | 2 ± 0,5 mm |
| gofret pahlama | Sağ Tip | çevresel | Rohs 2.0 |
| Üst LN Katmanı | |||
| Ortalama Kalınlık | 400/600±10 nm | tekdüzelik | < 40nm @17 Puan |
| Kırılma indeksi | hayır > 2,2800, ne < 2,2100 @ 633 nm | Oryantasyon | X ekseni ± 0,3° |
| Seviye | Optik | Yüzey Ra | < 0,5 deniz mili |
| Kusurlar | >1mm Yok; ≦1 mm Toplam 300 içinde |
Delaminasyon | Hiçbiri |
| Çizik | >1cm Yok; ≦3 içinde 1cm |
Birincil Daire | +Y Eksenine dik ± 1° |
| İzolasyon SiO2Katman | |||
| Ortalama Kalınlık | 2000 nm ± 15 nm 3000 nm ± 50 nm 4700 nm ± 100 nm | tekdüzelik | < ±1% @17 Puan |
| muhteşemYöntem | Termal Oksit | Kırılma indeksi | 1,45-1,47 @ 633 deniz mili |
| yüzey | |||
| Malzeme | Si | Oryantasyon | <100> ± 1° |
| Birincil Düz Yönlendirme | <110> ± 1° | Direnç | > 10 kΩ·cm |
| Arka Taraf Kirlenmesi | Görünür leke yok | arka taraf | dağlama |
