 
|
Gelişmiş Fotonik Uygulamalar İçin Yalıtkan Üzerindeki Lityum Tantalatın Kilidini Açma (LTOI)
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | BonTek |
| Sertifika: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Model numarası: | LNOI Gofret |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 25 adet |
|---|---|
| Fiyat: | $2000/pc |
| Ambalaj bilgileri: | Kaset/ Kavanoz paketi, vakumlu |
| Teslim süresi: | 1-4 hafta |
| Ödeme koşulları: | T/T |
| Yetenek temini: | 50000 adet/ay |
|
Detay Bilgi |
|||
| Ürün: | İzolatörde LiTaO3 | Çap: | 4 inç, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Üst tabaka: | Lityum Tantalat | üst kalınlık: | 300~600nm |
| Güneşlenme: | SiO2 Termal Oksit | Güneşlenme Kalınlığı: | 2000±15nm; 2000±15 nm; 3000±50nm; 3000±50nm; 4700±100nm 4700±1 |
| yüzey: | Silikon plaka | Başvuru: | Optik Dalga Kılavuzları ve Mikrodalga Kılavuzları |
| Vurgulamak: | Yalıtkan Üzerinde Fotonik Lityum Tantalat,LTOI Piezoelektrik Gofret |
||
Ürün Açıklaması
Gelişmiş Fotonik Uygulamalar için Yalıtkan Üzerinde Lityum Tantalat (LTOI) Potansiyelinin Kilidini Açmak
LTOI, Yalıtkan üzerinde Lityum Tantalat anlamına gelir ve entegre fotonik alanında kullanılan özel bir alt katman teknolojisidir.İnce bir lityum tantalat (LiTaO3) kristali tabakasının, genellikle silikon dioksit (SiO2) veya silikon nitrür (Si3N4) gibi yalıtkan bir alt tabaka üzerine transferini içerir.LTOI alt tabakaları, kompakt ve yüksek performanslı fotonik cihazların geliştirilmesi için benzersiz avantajlar sunar.
LTOI substratları, ince bir lityum tantalat kristali tabakasının yalıtıcı bir substrat üzerine aktarıldığı bir bağlama işlemi yoluyla oluşturulur.Bu işlem, katmanlar arasında güçlü bir bağ sağlayan gofret bağlama veya iyon kesme dahil olmak üzere çeşitli tekniklerle gerçekleştirilebilir.
LTOI alt tabakaları, gelişmiş fotonik uygulamalar için benzersiz avantajlar sunar.Elektro-optik modülatörler, dalga kılavuzları, doğrusal olmayan optik cihazlar, sensörler, kuantum fotoniği ve entegre fotonik devrelerdeki kullanımları, geniş uygulama yelpazesini ve entegre fotonik teknolojisinin sınırlarını zorlama potansiyelini göstermektedir.
| LTOI Gofret | |||
| Yapı | LiTaO3 / SiO2/ Si | LTV / PLTV | < 1,5 mikron ( 5∗5 mm2) / %95 |
| Çap | Φ100 ± 0,2 mm | Kenar Hariç Tutma | 5 mm |
| Kalınlık | 500 ± 20 mikron | Yay | 50 mikron içinde |
| Birincil Düz Uzunluk | 47,5 ± 2 mm 57,5 ± 2 mm |
Kenar Kırpma | 2 ± 0,5 mm |
| gofret pahlama | Sağ Tip | çevresel | Rohs 2.0 |
| Üst LT Katmanı | |||
| Ortalama Kalınlık | 400/600±10 nm | tekdüzelik | < 40nm @17 Puan |
| Kırılma indeksi | hayır > 2,2800, ne < 2,2100 @ 633 nm | Oryantasyon | Z ekseni ± 0,3° |
| Seviye | Optik | Yüzey Ra | < 0,5 deniz mili |
| Kusurlar | >1mm Yok; ≦1 mm Toplam 300 içinde |
Delaminasyon | Hiçbiri |
| Çizik | >1cm Yok; ≦3 içinde 1cm |
Birincil Daire | +Y Eksenine dik ± 1° |
| İzolasyon SiO2Katman | |||
| Ortalama Kalınlık | 2000 nm ± 15 nm 3000 nm ± 50 nm 4700 nm ± 100 nm | tekdüzelik | < ±1% @17 Puan |
| muhteşemYöntem | Termal Oksit | Kırılma indeksi | 1,45-1,47 @ 633 deniz mili |
| yüzey | |||
| Malzeme | Si | Oryantasyon | <100> ± 1° |
| Birincil Düz Yönlendirme | <110> ± 1° | Direnç | > 10 kΩ·cm |
| Arka Taraf Kirlenmesi | Görünür leke yok | arka taraf | dağlama |
